PCT測(cè)試和HAST高壓蒸煮測(cè)試

PCT測(cè)試和HAST高壓蒸煮測(cè)試

HAST/PCT

HAST測(cè)試可加速水分通過外部保護(hù)材料或密封劑或外部材料與導(dǎo)體之間的滲透。這是通過在設(shè)定的溫度和濕度條件下持續(xù)施加壓力來實(shí)現(xiàn)的。這使用了一種非冷凝（不飽和）方法，即在壓力和溫度控制的環(huán)境中應(yīng)用過熱蒸汽。
有偏無偏HAST測(cè)試

HAST測(cè)試已經(jīng)成為一種標(biāo)準(zhǔn)，特別是在半導(dǎo)體、太陽能和其他行業(yè)中，作為標(biāo)準(zhǔn)溫濕度偏差測(cè)試（85C/85%相對(duì)濕度-1000小時(shí)）的快速有效替代品。
HAST（高加速溫度和濕度應(yīng)力測(cè)試）已成為設(shè)備包裝可靠性和鑒定過程的關(guān)鍵部分。它主要用于評(píng)估非密封包裝設(shè)備在潮濕環(huán)境下的可靠性。這是通過在一個(gè)高度受控的壓力容器內(nèi)設(shè)置和創(chuàng)造溫度濕度壓力的各種條件來實(shí)現(xiàn)的。這些條件加速水分通過外部保護(hù)塑料包裝滲透，并將這些應(yīng)力條件應(yīng)用于模具/設(shè)備。
今天的技術(shù)正朝著低剖面/低幾何結(jié)構(gòu)的封裝方向發(fā)展，這些封裝具有更高的漏芯電流，從而產(chǎn)生內(nèi)部功耗，從而將濕氣從模具/設(shè)備中移出，從而防止分析與濕氣相關(guān)的故障機(jī)制。
根據(jù)JEDEC JESD22-A110D，如果試樣的耗散超過200 mW，則應(yīng)計(jì)算Tj。如果Tj的計(jì)算值高于燃燒室環(huán)境溫度10°C，則對(duì)裝置的偏壓應(yīng)為占空比。這種循環(huán)偏差將允許模具在關(guān)閉期間收集水分。一般來說，對(duì)于大多數(shù)封裝塑料設(shè)備，建議使用50%的占空比偏差。
降低/控制測(cè)試設(shè)備功耗的另一種方法是重置設(shè)備或?qū)⑵渲糜谒吣Ｊ剑@可以通過外部潛水員和控制裝置施加信號(hào)來完成。
•jedec標(biāo)準(zhǔn)jesd22-a110（偏倚hast）和jesda118（偏倚hast）
典型條件：
130°C/85%相對(duì)濕度/33.3 psia和
110°C/85%相對(duì)濕度17.7 psia
持續(xù)時(shí)間：96或264小時(shí)
功率循環(huán)偏壓HAST測(cè)試通常用于大功率器件。
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)或客戶規(guī)定的要求，批量大小可能會(huì)有所不同（44、77等）。
我們?cè)O(shè)計(jì)、開發(fā)、制造、選擇材料（關(guān)鍵插座和印刷電路板材料），并為各種類型的試件提供HAST板的全套交鑰匙服務(wù)。
HAST試驗(yàn)箱是進(jìn)行表面隔離電阻（SIR）分析的有效工具，在該分析中，試驗(yàn)樣品通常設(shè)置以下試驗(yàn)參數(shù)：
壓力條件下110C/85%相對(duì)濕度/5Vdc/264小時(shí)。
HAST室還用于進(jìn)行導(dǎo)電陽極絲（體積/材料）帽分析，其中，受試者試樣通常設(shè)置以下試驗(yàn)參數(shù)：
壓力條件下130C/85%相對(duì)濕度/3，5Vdc/96小時(shí)。這些測(cè)試主要用于檢查PCB中的通孔到通孔或平面到平面。
其他一些測(cè)試包括PCB的電化學(xué)遷移（ECM）
參考：JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD22-A110